دیتاشیت MTD20N06HDLT4G-VB
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | MTD20N06HDLT4G-VB |
|---|---|
| حجم فایل | 63.536 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 8 |
دانلود دیتاشیت MTD20N06HDLT4G-VB |
MTD20N06HDLT4G-VB Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec MTD20N06HDLT4G-VB
- Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 100W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 11nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss): 60V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 670pF@25V
- Continuous Drain Current (Id): 35A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 60pF@25V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ@10V,15A
- Package: TO-252
- Manufacturer: VBsemi Elec
